碳化硅陶瓷管

物理特性

• 極高的耐高溫性：
  熔點約為 2700℃（常壓下不熔化，升華分解），在惰性氣氛中可穩定工作到 2500℃以上，空氣氛圍中因表面形成 SiO?保護膜，長期使用溫度可達 1600℃，遠超氧化鋁（1600℃以下）等傳統陶瓷，是高溫結構材料的核心選擇（如火箭發動機噴嘴、高溫爐內襯）。

• 導熱性優異：
  熱導率隨純度和結構不同差異較大，單相燒結碳化硅熱導率約為 80-200 W/(m?K)，部分復相或反應燒結碳化硅可達 100-300 W/(m?K)，接近金屬鋁（237 W/(m?K)），遠超氧化鋁陶瓷，適合需要高效散熱的場景（如電子器件散熱基板）。

• 低熱膨脹系數：
  熱膨脹系數約為 (4.0-5.0)×10??/℃（室溫 - 1000℃），僅為氧化鋁的 1/2 左右，且隨溫度變化穩定，抗熱震性極強（可承受 1000℃以上的驟冷驟熱），適合高溫交變環境。

• 密度較低：
  密度約為 3.1-3.2 g/cm3，比氧化鋁（3.5-3.9 g/cm3）更輕，在航空航天等對重量敏感的領域優勢明顯。

化學特性

• 極強的耐腐蝕性：
  對除氫氟酸和濃堿外的幾乎所有酸、堿、鹽及有機溶劑均表現出優異的耐侵蝕性，尤其在高溫腐蝕環境中（如含硫、含氯氣氛）穩定性突出，可用于化工反應釜內襯、脫硫設備等。

• 優異的抗氧化性：
  高溫下表面會形成致密的 SiO?氧化膜，有效阻止內部 SiC 進一步氧化，在 1200℃以下氧化速率極低，1600℃時仍能保持較好的抗氧化能力（優于碳化鎢、氮化硅等材料）。

• 抗熔融金屬侵蝕：
  能抵抗鋁、銅、鐵等多數熔融金屬的侵蝕，可作為金屬熔煉的坩堝、導流槽等部件。

電學特性

• 多類型電學性能：

  • 純碳化硅陶瓷為半導體，室溫電阻率約 10?-10? Ω?cm，隨溫度升高導電性增強；

  • 摻雜后可制成高導電陶瓷（如摻雜 Al、B 實現 p 型導電，摻雜 N 實現 n 型導電），或通過燒結工藝調控為絕緣體（如反應燒結 SiC 絕緣性可調）。

  
  

• 高頻電性能穩定：
  介電常數約 9.7-10.3（1MHz），介電損耗低（<0.001），在高頻、高溫下電性能變化小，適合高頻電子器件和高溫傳感器。

機械特性

• 超高硬度與耐磨性：
  莫氏硬度 9.5（僅次于金剛石和立方氮化硼），維氏硬度達 2800-3500 HV，耐磨性是氧化鋁陶瓷的 3-5 倍，是目前最耐磨的陶瓷材料之一，廣泛用于磨具、密封環、軸承等。

• 高強度與剛性：
  抗彎強度約為 400-600 MPa（反應燒結）或 600-900 MPa（熱壓燒結），彈性模量高達 400-450 GPa，遠超金屬和多數陶瓷，在高負荷下不易變形。

• 脆性較低（相對陶瓷）：
  雖然仍屬于脆性材料，但通過顆粒增韌、纖維復合等工藝，其斷裂韌性（3-6 MPa?m1/2）高于氧化鋁陶瓷，抗沖擊性能更優。

其他特性

• 良好的輻照穩定性：
  對中子、γ 射線等輻射的抵抗能力強，在核工業領域（如核反應堆包殼材料）有重要應用潛力。

• 工藝適應性：
  可通過反應燒結、熱壓燒結、常壓燒結等多種工藝制備，能制成復雜形狀零件，且可與金屬、復合材料等連接，拓展了應用場景。

總結